2SA1302R Todos los transistores

 

2SA1302R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1302R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 470 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: TO3PL
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SA1302R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:114K  mospec
 2sa1302.pdf pdf_icon

2SA1302R

AAA

 7.2. Size:219K  jmnic
 2sa1302.pdf pdf_icon

2SA1302R

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1302 DESCRIPTION With TO-3PL package Complement to type 2SC3281 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol

 7.3. Size:128K  inchange semiconductor
 2sa1302.pdf pdf_icon

2SA1302R

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1302 DESCRIPTION High Current Capability High Power Dissipation High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -200V(Min) Complement to Type 2SC3281 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage applica

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History: BTB772SA3 | 2SC2238 | 2SA1300

 

 
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