2SA1306BO Todos los transistores

 

2SA1306BO Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA1306BO

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO218

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2SA1306BO datasheet

 6.1. Size:397K  motorola
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2SA1306BO

 6.2. Size:159K  jmnic
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2SA1306BO

Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2SA1306 2SA1306A 2SA1306B DESCRIPTION With TO-220Fa package Complement to type 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B APPLICATIONS Power amplifier applications Driver stage amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDIT

 6.3. Size:218K  inchange semiconductor
 2sa1306 2sa1306a 2sa1306b.pdf pdf_icon

2SA1306BO

isc Silicon PNP Power Transistors 2SA1306/A/B DESCRIPTION Good Linearity of h FE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -160V(Min)-2SA1306 (BR)CEO = -180V(Min)-2SA1306A = -200V(Min)-2SA1306B Complement to Type 2SC3298/A/B Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Driver stage amp

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