2SA1359Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1359Y
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO126
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2SA1359Y datasheet
2sa1359.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1359 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SC3422 Good linearity of hFE APPLICATIONS Audio frequency amplifier Low speed switching Suitable for output stage of 5W car radio and car stereo PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolu
2sa1359.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1359 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -40V (Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SC3422 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier and low speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25
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History: MGT108G | FMA4A
🌐 : EN ES РУ
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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