2SA1400 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1400
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO218
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2SA1400 datasheet
2sa1400-z.pdf
SMD Type Transistors Silicon Transistor 2SA1400-Z TO-252 Unit mm +0.15 +0.1 6.50-0.15 2.30-0.1 +0.2 +0.8 5.30-0.2 0.50-0.7 Features High Voltage VCEO=-400V High speed tr 1.0 s 0.127 +0.1 max 0.80-0.1 +0.1 2.3 0.60-0.1 1 Base +0.15 4.60-0.15 2 Collector 3 Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector to Base Voltage VCBO -400 V Collec
2sa1400z.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1400Z DESCRIPTION High Collector-Emitter Voltage - V = -400V(Min) CEO Complement to Type 2SC3588Z Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage switching ,especially in Hybrid integrated cricuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB
Otros transistores... 2SA1393 , 2SA1394 , 2SA1395 , 2SA1396 , 2SA1397 , 2SA1398 , 2SA1399 , 2SA14 , D880 , 2SA1401 , 2SA1402 , 2SA1402C , 2SA1402D , 2SA1402E , 2SA1402F , 2SA1403 , 2SA1403C .
History: MMDT5451 | UMH15N
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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