2SA1451Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1451Y
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 70 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 320 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO220
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2SA1451Y datasheet
2sa1451a.pdf
2SA1451A TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) 2SA1451A High-Speed, High-Current Switching Applications Unit mm Low collector saturation voltage VCE (sat) = -0.4 V (max) (IC = -6 A) High-speed switching tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SC3709A Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base
2sa1451.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1451 DESCRIPTION With TO-220Fa package Low collector saturation voltage High speed switching time Complement to type 2SC3709 APPLICATIONS High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE U
Otros transistores... 2SA1444 , 2SA145 , 2SA1450 , 2SA1450R , 2SA1450S , 2SA1450T , 2SA1451 , 2SA1451O , BC556 , 2SA1452 , 2SA1452O , 2SA1452Y , 2SA1453 , 2SA1455K , 2SA1458 , 2SA1459 , 2SA146 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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