2SA1516O Todos los transistores

 

2SA1516O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1516O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 130 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 25 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 470 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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2SA1516O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:33K  toshiba
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2SA1516O

 7.2. Size:259K  jmnic
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2SA1516O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1516 DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SC3907 High collector voltage APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 80W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified o

 7.3. Size:203K  inchange semiconductor
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2SA1516O

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1516DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3907Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity audio frequencyamplifier

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History: 2SD613C | 2S322 | MJ4033 | BUT92A | 2SC5261

 

 
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