2SA1627 Todos los transistores

 

2SA1627 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1627
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 42 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SP8
 

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2SA1627 Datasheet (PDF)

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UTC 2SA1627 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1627 is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. FEATURES *High voltage *Low collector saturation voltage. *High-speed switching 1TO-126 1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25C ) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT

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2SA1627

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1627A PNP SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1627A is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. FEATURES * High voltage * Low collector saturation voltage. * High-speed switching ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing

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