2SA1629 Todos los transistores

 

2SA1629 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1629
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 55 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 230 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO236
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SA1629 Datasheet (PDF)

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2SA1629

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2SA1629

2SA1620 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1620 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Complementary to 2SC4209 Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -80 VCollector-emitter voltage VCEO -80 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -300 mABase current IB -60

 8.3. Size:194K  toshiba
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2SA1629

2SA1621 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1621 Audio Power Amplifier Applications Unit: mm High hFE: h = 100~320 FE Complementary to 2SC4210 Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -35 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -

 8.4. Size:128K  sanyo
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2SA1629

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History: 2N6325 | MBT3904DW1T3G | FHC122E | RT1P14BM | 2N2436 | 2SD857 | RT1P242C

 

 
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