2N1382V . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1382V
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: TO5
Otros transistores... 2N1380 , 2N1381 , 2N1382 , 2N1382BL , 2N1382BN , 2N1382GN , 2N1382O , 2N1382R , 2SC5200 , 2N1382Y , 2N1383 , 2N1383BL , 2N1383BN , 2N1383GN , 2N1383O , 2N1383R , 2N1383V .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050