2SA474 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA474
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO1
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SA474
2SA474 Datasheet (PDF)
2sa473.pdf
2SA473 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SC1173ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -30 V Collector-Emitter Voltage VCEO -30 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -3 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 10 W Jun
2sa473.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA473DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -30V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC1173Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Car radio and car stereo output stage applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050