2SA485B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA485B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO39

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2SA485B datasheet

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2SA485B

 9.1. Size:162K  jmnic
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2SA485B

 9.2. Size:155K  jmnic
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2SA485B

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA489 DESCRIPTION With TO-220 package Low collector saturation voltage Short switching time APPLICATIONS Various inductance lamp drivers for electrical equipment Inverters;converters Power amplification Switching regulator ,driver PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 m

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
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2SA485B

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA483 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage V = -150V(Min) (BR)CEO Complement to Type 2SC783 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications Vertical output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Collector-Base

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