2SA612 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA612
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 90 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO92
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2SA612 Datasheet (PDF)
2sa614.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA614DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -55V (Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = -0.5V (Max.)@ I = -1ACE(sat) CCollector Power Dissipation-: P = 25W@ T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power amplif
Otros transistores... 2SA608NP , 2SA608SPA , 2SA609 , 2SA609NP , 2SA609SP , 2SA61 , 2SA610 , 2SA611 , TIP42C , 2SA613 , 2SA614 , 2SA615 , 2SA616 , 2SA617 , 2SA617K , 2SA618 , 2SA618K .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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