2SA617K Todos los transistores

 

2SA617K . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA617K
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2SA617K Datasheet (PDF)

 9.1. Size:217K  inchange semiconductor
 2sa614.pdf pdf_icon

2SA617K

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA614DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -55V (Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = -0.5V (Max.)@ I = -1ACE(sat) CCollector Power Dissipation-: P = 25W@ T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power amplif

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History: TP3392

 

 
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