2SA641 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA641
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 70 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO92
Búsqueda de reemplazo de 2SA641
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2SA641 datasheet
2sa648.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA648 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min.) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag
Otros transistores... 2SA636Z, 2SA637, 2SA638, 2SA638S, 2SA639, 2SA639S, 2SA64, 2SA640, A1013, 2SA642, 2SA643, 2SA645, 2SA646, 2SA647, 2SA648, 2SA649, 2SA65
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n



