2SA641 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA641
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO92
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2SA641 Datasheet (PDF)
2sa648.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA648DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min.)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag
Otros transistores... 2SA636Z , 2SA637 , 2SA638 , 2SA638S , 2SA639 , 2SA639S , 2SA64 , 2SA640 , 2SD313 , 2SA642 , 2SA643 , 2SA645 , 2SA646 , 2SA647 , 2SA648 , 2SA649 , 2SA65 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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