2SA641 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA641
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SA641
2SA641 Datasheet (PDF)
2sa648.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA648DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min.)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag
2sa649.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA649DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -150V(Min.)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag
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