2SA661 Todos los transistores

 

2SA661 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA661
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 9 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92MOD
 

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2SA661 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  1
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2SA661

 9.1. Size:145K  jmnic
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2SA661

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA663 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC793 APPLICATIONS For radio frequency,audio frequency and power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(

 9.2. Size:198K  inchange semiconductor
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2SA661

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA663DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.3V(Max.)@ I = -5ACE(sat) CComplement to Type 2SC793Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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History: CHEMZ8GP | 2SC4191 | MJE800G | TIS45 | BFG520-XR | CHEMX3GP | BUT50P

 

 
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