2SA661 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA661

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 70 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 9 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92MOD

 Búsqueda de reemplazo de 2SA661

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SA661 datasheet

 ..1. Size:50K  1
 2sa661.pdf pdf_icon

2SA661

 9.1. Size:145K  jmnic
 2sa663.pdf pdf_icon

2SA661

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA663 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC793 APPLICATIONS For radio frequency,audio frequency and power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(

 9.2. Size:198K  inchange semiconductor
 2sa663.pdf pdf_icon

2SA661

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA663 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -2.3V(Max.)@ I = -5A CE(sat) C Complement to Type 2SC793 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Otros transistores... 2SA656A, 2SA657, 2SA657A, 2SA658, 2SA658A, 2SA659, 2SA659NP, 2SA66, 2N2907, 2SA663, 2SA666, 2SA666A, 2SA668, 2SA669, 2SA67, 2SA670, 2SA671