2SA671A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA671A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de 2SA671A

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

2SA671A datasheet

 8.1. Size:116K  mospec
 2sa671.pdf pdf_icon

2SA671A

A A A

 8.2. Size:159K  jmnic
 2sa671.pdf pdf_icon

2SA671A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA671 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1061 Low collector saturation voltage Note type 2SA670 with short pin APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified o

 8.3. Size:205K  inchange semiconductor
 2sa671.pdf pdf_icon

2SA671A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA671 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max)@ I = -2.0A CE(SUS) C DC Current Gain h = 35-320@ I = -0.5A FE C Complement to Type 2SC1061 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SA663, 2SA666, 2SA666A, 2SA668, 2SA669, 2SA67, 2SA670, 2SA671, TIP120, 2SA671B, 2SA671C, 2SA671K, 2SA672, 2SA673, 2SA673A, 2SA673AK, 2SA675