2SA69 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA69  📄📄 

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 150

Encapsulados: TO7

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2SA69 datasheet

 0.1. Size:135K  no
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2SA69

 0.2. Size:221K  jmnic
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2SA69

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA699 2SA699A DESCRIPTION With TO-202 package Complement to type 2SC1226/1226A APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT 2S

 0.3. Size:218K  inchange semiconductor
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2SA69

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA699 2SA699A DESCRIPTION With TO-202 package Complement to type 2SC1226/1226A APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIO

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