2SA706-3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA706-3
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 7.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 120 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 51
Paquete / Cubierta: TO202
- Selección de transistores por parámetros
2SA706-3 Datasheet (PDF)
2sa700.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA700DESCRIPTIONHigh Collector Current -I = -1.5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -35V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for medium power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: KT6109G | 2SD1835T | DT1511 | BD355C | KT3166A | MP2221R | 2N6307M
History: KT6109G | 2SD1835T | DT1511 | BD355C | KT3166A | MP2221R | 2N6307M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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