2SA801 Todos los transistores

 

2SA801 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA801
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO131
 

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2SA801 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:211K  1
 2sa806 2sa1558.pdf pdf_icon

2SA801

 9.2. Size:145K  jmnic
 2sa808.pdf pdf_icon

2SA801

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA808 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC1619 APPLICATIONS For power amplifier and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBO

 9.3. Size:146K  jmnic
 2sa807.pdf pdf_icon

2SA801

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA807 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC1618 APPLICATIONS For power amplifier and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBO

 9.4. Size:195K  inchange semiconductor
 2sa808.pdf pdf_icon

2SA801

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA808DESCRIPTIONHigh Power Dissipation-: P = 50W(Max.)@T =25C CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min.)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV C

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