2SA896 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA896
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Paquete / Cubierta: TO92
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2SA896 Datasheet (PDF)
2sa893.pdf

2SA893, 2SA893ASilicon PNP EpitaxialApplication Low frequency high voltage amplifier Complementary pair with 2SC1890/AOutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SA893, 2SA893AAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SA893 2SA893A UnitCollector to base voltage VCBO 90 120 VCollector to emitter voltage VCEO 90 120 VEmitter to b
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: KT879A | 2SA393 | 2SC995 | CD0014N | 2SC1683 | 2SB1412-P | 2SD1029
History: KT879A | 2SA393 | 2SC995 | CD0014N | 2SC1683 | 2SB1412-P | 2SD1029



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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