2SB104 Todos los transistores

 

2SB104 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB104
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.18 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: MM4
 

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2SB104 datasheet

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2SB104

2SB1048 Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline UPAK 1 2 2,4 3 1 4 1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector (Flange) 3 2SB1048 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 1 A ... See More ⇒

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2SB104

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB1048 SOT-89 Unit mm 1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=-1A Collector Emitter Voltage VCEO=-60V High gain amplifier 0.42 0.1 0.46 0.1 C 1.Base 2.Collector B 3.Emitter E Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage V... See More ⇒

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2SB104

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB1046 SOT-89 Unit mm Features 1.70 0.1 Collector Current Capability IC=-50mA Collector Emitter Voltage VCEO=-160V Complementary to 2SD1464 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -180 Collector - Emitter Voltage V... See More ⇒

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History: 2N1014

 

 
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