2SB1065 Todos los transistores

 

2SB1065 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1065
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SB1065 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:39K  rohm
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2SB1065

 ..2. Size:154K  jmnic
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2SB1065

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1065 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD1506 Low collector saturation voltage APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMET

 ..3. Size:215K  inchange semiconductor
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2SB1065

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1065DESCRIPTION Collector Saturation VoltageLow: V = -1.0V(Max)@I = -2ACE(sat) CWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD1506Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

 8.1. Size:185K  toshiba
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