182T2A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 182T2A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 182T2A
182T2A Datasheet (PDF)
bdy23-bdy24-bdy25-180t2-181t2-182t2.pdf
BDY23, 180 T2BDY24, 181 T2BDY25, 182 T2NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY23, 180T2 60Collector-Emitter VoltageVCEO BDY24, 181T2 90 VBDY25, 182T2 140BDY23, 180T2 60VCBO Collector-Base Voltage BDY24, 181T2 100 VBDY25, 182T2 200BDY23, 180T2VEBO Emitt
bdy23 bdy24 bdy25 180t2 181t2 182t2.pdf
BDY23, 180 T2BDY24, 181 T2BDY25, 182 T2NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY23, 180T2 60VCEO Collector-Emitter Voltage BDY24, 181T2 90 VBDY25, 182T2140BDY23, 180T260VCBO Collector-Base Voltage BDY24, 181T2 100 VBDY25, 182T2 200BDY23, 180T2VEBO Emit
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050