2SB1119S Todos los transistores

 

2SB1119S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB1119S

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 140

Encapsulados: SOT89

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2SB1119S datasheet

 7.1. Size:85K  sanyo
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2SB1119S

 7.2. Size:140K  secos
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2SB1119S

2SB1119/2SD1619 PNP Silicon Elektronische Bauelemente Medium Power Transistor RoHS Compliant Product D D1 A SOT-89 b1 FEATURES b Power dissipation C e e1 P 500mW Tamb=25 CM 1.BASE Collector current 2.COLLECTOR Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Symbol Min Max Min Max -1 A ICM 3.EMITTER A 1.400 1.600 0.055 0.063 Collector-base vol

 7.3. Size:184K  htsemi
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2SB1119S

2SB1 1 1 9 TRANSISTOR(PNP) SOT-89-3L 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package LF Amplifier, Electronic Governor Applications 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -25 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -1 A PC Collector Power

 7.4. Size:1373K  kexin
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2SB1119S

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB1119 Features 1.70 0.1 Very small size making it easy to provide high highdensity, small-sized hybrid IC s. Complementary to 2SD1619 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -25 Collector - Emitter Voltage VCEO -25 V

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History: 2N516 | 2N5145 | 2SB1119R

 

 

 

 

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