2SB1119T Todos los transistores

 

2SB1119T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1119T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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2SB1119T Datasheet (PDF)

 7.1. Size:85K  sanyo
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2SB1119T

 7.2. Size:140K  secos
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2SB1119T

2SB1119/2SD1619PNP Silicon Elektronische BauelementeMedium Power TransistorRoHS Compliant ProductDD1ASOT-89b1FEATURES b Power dissipation Ce e1 P : 500mW Tamb=25 CM1.BASE Collector current 2.COLLECTOR Dimensions In Millimeters Dimensions In InchesSymbolMin Max Min Max: -1 AICM3.EMITTERA 1.400 1.600 0.055 0.063 Collector-base vol

 7.3. Size:184K  htsemi
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2SB1119T

2SB1 1 1 9TRANSISTOR(PNP) SOT-89-3L 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package LF Amplifier, Electronic Governor Applications 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -25 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -1 A PC Collector Power

 7.4. Size:1373K  kexin
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2SB1119T

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1119 Features1.70 0.1 Very small size making it easy to provide high highdensity, small-sized hybrid ICs. Complementary to 2SD16190.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -25 Collector - Emitter Voltage VCEO -25 V

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History: MP4T6365

 

 
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