2SB1134S Todos los transistores

 

2SB1134S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB1134S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 160 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SB1134S

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SB1134S Datasheet (PDF)

 7.1. Size:123K  sanyo
 2sb1134.pdf pdf_icon

2SB1134S

 7.2. Size:217K  jmnic
 2sb1134.pdf pdf_icon

2SB1134S

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1134 DESCRIPTION With TO-220F package Complement to type 2SD1667 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Relay drivers,high-speed inverters and other general high-current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAb

 7.3. Size:214K  inchange semiconductor
 2sb1134.pdf pdf_icon

2SB1134S

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1134DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -50V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.)@ I = -3ACE(sat) CComplement to Type 2SD1667Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers, high-speed inverters, and othergenera

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2SB1132R , 2SB1133 , 2SB1133Q , 2SB1133R , 2SB1133S , 2SB1134 , 2SB1134Q , 2SB1134R , TIP41 , 2SB1135 , 2SB1135Q , 2SB1135R , 2SB1135S , 2SB1136 , 2SB1136Q , 2SB1136R , 2SB1136S .

History: 2SD1326 | BD295

 

 
Back to Top

 


 
.