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MG25Q1BS11 Specs and Replacement

Type Designator: MG25Q1BS11

Type: IGBT

Type of IGBT Channel: N

Absolute Maximum Ratings

Pc ⓘ - Maximum Power Dissipation: 150 W

|Vce|ⓘ - Maximum Collector-Emitter Voltage: 1200 V

|Vge|ⓘ - Maximum Gate-Emitter Voltage: 20 V

|Ic| ⓘ - Maximum Collector Current: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Maximum Junction Temperature: 150 ℃

Electrical Characteristics

|VCEsat|ⓘ - Collector-Emitter saturation Voltage, typ: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Rise Time, typ: 300 nS

Package: MODULE

 MG25Q1BS11 Substitution

- IGBTⓘ Cross-Reference Search

 

MG25Q1BS11 datasheet

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Specs: MG200J6ES61, MG200Q1US41, MG200Q1US51, MG200Q2YS40, MG200Q2YS50, MG200Q2YS65H, MG25J6ES40, MG25N2YS1, IHW40T60, MG25Q2YS40, MG25Q6ES42, MG25Q6ES50A, MG25Q6ES51, MG300J2YS40, MG300J2YS50, MG300N1US1, MG300Q1US11

Keywords - MG25Q1BS11 transistor spec

 MG25Q1BS11 cross reference
 MG25Q1BS11 equivalent finder
 MG25Q1BS11 lookup
 MG25Q1BS11 substitution
 MG25Q1BS11 replacement

 

 

 

 

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