CSZ14 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent
Type Designator: CSZ14
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 43 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 60 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 10 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.2 Ohm
Package: TO-257
CSZ14 Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search
CSZ14 Datasheet (PDF)
1.1. csz14.pdf 
Size:136K _update_mosfet
CSZ14 型 N 沟道场效应晶体管 参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 PD TC=25℃ 43 W 线性降低系数 0.29 W/℃ ID （VGS=10V,TC=25℃） 10 A 极 ID （VGS=10V,TC=100℃） 7.2 A 限 IDM 40 A 值 VGS ±20 V Tjm +150 ℃ Tstg -55 +150 ℃ 热 RthJC 3.5 ℃/W 特 RthJA 62 ℃/W 性 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 60 V RDS on） VGS=10V,
Datasheet: FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
