TTP145N08A Specs and Replacement

Type Designator: TTP145N08A

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N-Channel

Absolute Maximum Ratings

Pd ⓘ - Maximum Power Dissipation: 272.7 W

|Vds|ⓘ - Maximum Drain-Source Voltage: 82 V

|Vgs|ⓘ - Maximum Gate-Source Voltage: 20 V

|Id| ⓘ - Maximum Drain Current: 145 A

Tj ⓘ - Maximum Junction Temperature: 175 °C

Electrical Characteristics

tr ⓘ - Rise Time: 45 nS

Cossⓘ - Output Capacitance: 416 pF

RDSonⓘ - Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.0059 Ohm

Package: TO220

TTP145N08A substitution

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TTP145N08A datasheet

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TTP145N08A

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TTP145N08A

TTB145N06A,TTP145N06A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 60V N-Channel Trench MOSFET General Description Product Summary Trench Power technology VDS 60V Low RDS(ON) ID (at VGS =10V) 145A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS =10V) ... See More ⇒

Detailed specifications: TTP115N08AA, TTB118N08A, TTP118N08A, TTB135N68A, TTP135N68A, TTB145N06A, TTP145N06A, TTB145N08A, IRF9540N, TTB30P10AT, TTD30P10AT, TTP30P10AT, TTB85N08A, TTP85N08A, TTB85N08AA, TTP85N08AA, TTB95N68A

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