Скачать даташит для agm435e:

AGM435E Table 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit On/Off States BV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250 A 40 -- -- V GS D DSS Zero Gate Voltage Drain Current V =40V,V =0V -- -- 1 A DS GS I DSS V = 20V,V =0V -- -- nA GS DS IGSS Gate-Body Leakage Current 100 VGS(th) Gate Threshold Voltage V =V ,I =250 A DS GS D 1.2 1.5 2.2 V g Forward Transconductance V =5V,I =3A -- S DS D FS -- 8 V =10V, I =5A GS D -- 20 25 m R DS(on) Drain-Source On-State Resistance V =4.5V, I =3A -- 24 30 m GS D Dynamic Characteristics -- 480 -- C Input Capacitance pF iss VDS=20V,VGS=0V, C Output Capacitance oss F=1MHZ -- 92 -- pF C Reverse Transfer Capacitance rss -- -- pF 68 =0V, Rg Gate resistance VGS -- -- -- =0V,f=1.0MHz VDS Switching Times Turn-on Delay Time -- --

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 agm435e.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 agm435e.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 agm435e.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы