Справочник транзисторов

Низкий β увеличивает Vce(sat), требуется больший ток базы.

Высокий β повышает hie.

Высокий β усиливает температурную зависимость.

Большой технологический разброс β (например, от 100 до 400) усложняет серийное производство схем, требует расчета на наихудший случай или применения ООС.

hie уменьшается с ростом Ic.

Зависимость нелинейна. Обычно fT растет с увеличением Ic до определенного оптимума, после которого начинает падать.

roe увеличивается с ростом Vce (эффект Эрли).

Ccb уменьшается при увеличении обратного напряжения.

Pc = Ic × Vce, основной фактор нагрева.

Vbe уменьшается на ~2 мВ/°C (риск теплового разгона).

β увеличивается примерно на 0.5% / °C.

Icbo экспоненциально растет с температурой.

Длительная работа при повышенной температуре вызывает необратимые изменения характеристик.

Нагрев изменяет ширину запрещенной зоны, влияя на Vbe и токи утечки.

Термоциклирование приводит к усталости материалов и контактов.

Определяет максимальную частоту усиления: fmax ≈ fT/√2.

Высокая fT коррелирует с малым временем переключения.

Является внутренней проходной емкостью. Обеспечивает отрицательную обратную связь с выхода на вход, что снижает усиление на ВЧ и может вызывать самовозбуждение в усилителе.

Большая Ccb увеличивает время рассасывания заряда в базе при выключении (t_off), замедляя транзистор-ключ.

Потери во включенном состоянии: P_loss = Ic × Vce(sat).

Высокое Vce(sat) требует большего радиатора.

Определяет перегрев: ΔT = Pc × Rθja.

Плохой теплоотвод → высокая Tj → ускоренная деградация и сокращение срока службы транзистора.

Высокий коэффициент шума ограничивает минимальный detectable signal в малошумящих усилителях.

Зависит от тока коллектора и частоты, имеет оптимальное значение при определенном Ic.

В ВЧ-схемах на коэффициент шума влияют паразитные емкости и индуктивности выводов.

Вместе с сопротивлением базы образует ФНЧ, ограничивающий полосу пропускания.

В ключевом режиме влияет на время задержки включения (t_d).

Большая C_eb может привести к самовозбуждению через внутреннюю обратную связь.

Вместе с паразитными емкостями образует резонансные контуры на ВЧ.

Вызывает выбросы напряжения при быстрых переключениях больших токов.

Ограничивает максимальную эффективную частоту работы ключа.

Вызывает тепловой шум, пропорциональный √r_b'.

Мощность, рассеиваемая в базовой области, P = I_b² × r_b'.

В мощных транзисторах приводит к неравномерному распределению тока по кристаллу.

Определяет минимальную длительность импульса управления для гарантированного выключения.

В течение ts транзистор остается частично открытым, увеличивая потери.

Влияет на форму выходного сигнала в импульсных схемах.

Определяет необходимое количество каскадов для достижения заданной выходной мощности.

Низкий коэффициент требует большего тока покоя или дополнительных каскадов.

Зависит от согласования входного и выходного сопротивлений.

Определяет необходимость снабберных цепей (снаббер – это устройство, работающее в качестве фильтра низкой частоты, которое выполняет действие по замыканию на себе тока переходного процесса) при коммутации индуктивных нагрузок.

Влияет на выбор напряжения питания для обеспечения надежности.

Низкое напряжение пробоя требует дополнительных защитных элементов.