Скачать даташит для bc3401:

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The BC3401 uses advanced trench technology to VDS (V) = -30V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -4.2 A (VGS = -10V) operation with gate voltages as low as 2.5V. This RDS(ON) ... ещё ⇒

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 bc3401.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 bc3401.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 bc3401.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы