Скачать даташит для 2sc3356k-b_2sc3356k-c_2sc3356k-d:

NPN N RF TRAN SILICON ANSISTOR 3 U equency low sistor Ultra high fre w noise transSilicon epitax process. xial bipolar pH gain, low noHigh power g oise figure, hi c range and ideal current characterisigh dynamic n stics, SC-59 chip p inly used in VHF, UHF and CATV 2 package, maii cy wideband amplifier.high frequenc d low noise a 1 SCC-59 Fea 1Ba 2Em 3Cature ase mitter Collector High 1e2 dB Vh gain:S21 TYP. Value is 11d @ VCE=10VIC=20mAf=1GHz Low . 5dB Vw noise: NF TYP. Value is 1.5 @ VCE=10VIC=7mA f=1GHz fT (T TYP. Value is 7G @ VCE=10VIC=20mAf=1GHz TYP.) : P GHz VAbs ings TA=25 Unless Otherwsolute Maximum Rati wise noted PARAMETER SYMBLE MAXIM UR E MUM VALUE UNIT Coll breakdown vo VCBO 20 V lector-base b oltage Coll er breakdown VCEO 12 V lector-emitte n voltage

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 2sc3356k-b 2sc3356k-c 2sc3356k-d.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 2sc3356k-b 2sc3356k-c 2sc3356k-d.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 2sc3356k-b 2sc3356k-c 2sc3356k-d.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы