Справочник транзисторов.

 

Скачать даташит для 3dd13007n36f:

3dd13007n36f3dd13007n36f

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistor 3DD13007N36F TRANSISTOR (NPN)TO-220FFEATURES Power switching applications1. BASE1232. COLLECTOR3. EMITTER 13007N=Device code Equivalent Circuit Solid dot=Green moldinn compound device, if none,the normal device 13007N36F=Code36FMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC Collector Current -Continuous 8 A PC Collector Power Dissipation 2 W Operation Junction and TJ,Tstg -55~150Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Mayp yp MCollector-base breakdown voltage

 

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 3dd13007n36f.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 3dd13007n36f.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 3dd13007n36f.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы

 

 
Back to Top

 


 
.