Скачать даташит для bls70r600-p_bls70r600-a_bls70r600-u_bls70r600-d:

BLS70R600 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1 Description BLS70R600, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 750 V DS@Tj.maxI 8 A DR 0.54 DS(ON).TypFEATURES Fast Switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product APPLICATIONS High frequency switching mode power supply ORDERING INFORMATION Ordering Codes Package Product Code Packing BLS70R600-P TO-220 Tube BLS70R600-A TO-220F Tube BLS70R600 BLS70R600-U TO-251 Tube BLS70R600-D TO-252 Tape Reel BLS70R600-A XXXXProduct Code (2) Package

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 bls70r600-p bls70r600-a bls70r600-u bls70r600-d.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 bls70r600-p bls70r600-a bls70r600-u bls70r600-d.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 bls70r600-p bls70r600-a bls70r600-u bls70r600-d.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы