Скачать даташит для hm40n15ka:

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =150V,ID =40A RDS(ON)

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 hm40n15ka.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 hm40n15ka.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 hm40n15ka.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы