Скачать даташит для hm4302:

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =30V,ID = A RDS(ON)

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 hm4302.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 hm4302.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 hm4302.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы