Справочник транзисторов.

 

Скачать даташит для irf1010es:

irf1010esirf1010es

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010ESFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60 VDSSV Gate-Source Voltage 20 VGSSDrain Current-Continuous;Tc=2584I AD59Tc=100I Drain Current-Single Pulsed 330 ADMP Total Dissipation 200 WDT Operating Junction Temperature 175 jStorage Temperature -55~175 TstgTHERMAL CHARACTERISTICSSYMBOL PARAMETER MAX UNIT/WRth(ch-c) Channel-to-case thermal resistance 0.75/WRth(ch-a) Channel-to-ambient thermal res

 

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 irf1010es.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 irf1010es.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 irf1010es.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы

 

 
Back to Top

 


 
.