Справочник транзисторов.

 

Скачать даташит для irf1010ez:

irf1010ezirf1010ez

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010EZIIRF1010EZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60 VDSSV Gate-Source Voltage 20 VGSI Drain Current-Continuous 60 ADI Drain Current-Single Pulsed 340 ADMP Total Dissipation @T =25 140 WD CT Max. Operating Junction Temperature 175 jT Storage Temperature -55~175 stgTHERMAL CHARACTERISTICSSYMBOL PARAMETER MAX UNITChannel-to-case thermal resistance/WRth(ch-c) 1.11Channel-to-ambient thermal resistance/WRth(ch-a) 621isc websitewww

 

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 irf1010ez.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 irf1010ez.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 irf1010ez.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы

 

 
Back to Top

 


 
.