Скачать даташит для ixgh32n100a3:

Advance Technical Information IXGH32N100A3 VCES = 1000V GenX3TM 1000V IGBT IXGT32N100A3 IC25 = 75A VCE(sat) 2.2V Ultra-low Vsat PT IGBTs for up to 4 kHz switching TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25C to 150C 1000 V G C (TAB) VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1000 V C E VGES Continuous 20 V TO-268 ( IXGT) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25C, IGBT chip capability 75 A IC110 TC = 110C 32 A ICM TJ 150C, tp

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 ixgh32n100a3.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 ixgh32n100a3.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 ixgh32n100a3.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы