Скачать даташит для ixgh32n90b2d1_ixgt32n90b2d1:

Advance Technical InformationVCES = 900 VIXGH 32N90B2D1HiPerFASTTM IGBTIC25 = 64 AIXGT 32N90B2D1with Fast DiodeVCE(sat) = 2.7 Vtfi typ = 150 nsB2-ClassHigh Speed IGBTs withUltrafast DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VETO-268 (IXGT)IC25 TC = 25C 64 AIC110 TC = 110C 32 AICM TC = 25C, 1 ms 200 AGC (TAB)ESSOA VGE= 15 V, TVJ = 125C, RG = 10 ICM = 64 A(RBSOA) Clamped inductive load: VCL

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 ixgh32n90b2d1 ixgt32n90b2d1.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 ixgh32n90b2d1 ixgt32n90b2d1.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 ixgh32n90b2d1 ixgt32n90b2d1.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы