Скачать даташит для mje13003i6:

MJE13003I6(3DD13003I6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 1.5 A C P (Ta=25) 1.25 W CP (T =25) 40 W CCT 150 j T -55150 stg /Electrical characteristics(Ta=25) Rating Symbol Test condition Unit Min Typ Max V I =1mA I =0 600 V CBO C EV I =10mA I =0 400 V CEO C BV I =1mA I =0 9.0 V EBO E CI V =600V I =0 0.1 mA CBO CB EI V =400V I =0 0.1 mA CEO CE BI V =9.0V

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 mje13003i6.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 mje13003i6.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 mje13003i6.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы