Справочник транзисторов.

 

Скачать даташит для mmbt5551:

mmbt5551mmbt5551

RoHS COMPLIANT MMBT5551 NPN General Purpose Amplifier Features Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating Moisure Sensitivity Level 1 Marking:G1 Maximum Rantings (Ta=25) Item Symbol Unit Conditions Value Collector-Emitter Voltage* VCEO V IC=1.0mAdc, IB=0 160 Collector-Base Voltage VCBO V IC=100uAdc, IE=0 180 Emitter-Base Voltage VEBO V IE=10uAdc, IC=0 6.0 Collector Current IC mA 600 Power Dissipation PD mW 300 Operation Junction Temperature TJ -55 to +150 Storage Temperature TSTG -55 to +150 1 / 5 S-S1516 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.comRev.1.1, 24-Jan-19 MMBT5551 Electrical CharacteristicsTa=25 Item Symbol Unit Conditions Min Max Collector-Emitter Voltage* VCEO V IC=1.0mAdc, IB=0 160 Collector-Base Voltage VCBO V IC=100uAdc, IE=0 180 Emitter-Base Voltage VEBO

 

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 mmbt5551.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 mmbt5551.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 mmbt5551.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы

 

 
Back to Top

 


 
.