Справочник транзисторов.

 

Скачать даташит для mmbt5551:

mmbt5551mmbt5551

MMBT5551GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN Silicon FEATURES NPN Silicon Epitaxial planar Transistor For Switching And Amplifier Applications Collector Current IC=600mA C MECHANICAL DATA E Available in SOT-23 Package SolderabilityMIL-STD-202, Method 208 Full RoHS Compliance B ORDERING INFORMATION PART NUMBER PACKAGE SHIPPING MARKING CODE G1 MMBT5551-T3 SOT-23 Tape ReelNotes: 1. : none is for Lead Free package; G is for Halogen Free package. THERMAL DATA PARAMETER SYMBOL VALUES UNITR Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 417 C/WJASTAD_A PAGE.1 MMBT5551 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Note 4)TA = 25C, unless otherwise specified. PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITCollector-Emitter Voltage VCEO 160 VCollector-Base Voltage VCBO 180 VEmitter-Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 600 m

 

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 mmbt5551.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 mmbt5551.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 mmbt5551.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы

 

 
Back to Top

 


 
.