Справочник транзисторов.

 

Скачать даташит для mmbtsc945r_mmbtsc945o_mmbtsc945y_mmbtsc945p_mmbtsc945l:

mmbtsc945r_mmbtsc945o_mmbtsc945y_mmbtsc945p_mmbtsc945lmmbtsc945r_mmbtsc945o_mmbtsc945y_mmbtsc945p_mmbtsc945l

MMBTSC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor MMBTSA733 is recommended. TO-236 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 60 VCollector Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 150 mAPower Dissipation Ptot 200 mWOJunction Temperature Tj 150 C OStorage Temperature Range TStg - 55 to + 150 C OCharacteristics at Ta = 25 C Parameter Symbol Min. Typ. Max. UnitDC Current Gain at VCE = 6 V, IC = 1 mA Current Gain GroupR hFE 40 - 80 - O hFE 70 - 140 - Y hFE 120 - 240 - P hFE 200 - 400 - L hFE 350 - 700 - Collector Base Cutoff Current ICBO - - 0.1

 

Ключевые слова - ALL TRANSISTORS DATASHEET

 mmbtsc945r mmbtsc945o mmbtsc945y mmbtsc945p mmbtsc945l.pdf Проектирование, MOSFET, Мощность

 mmbtsc945r mmbtsc945o mmbtsc945y mmbtsc945p mmbtsc945l.pdf Соответствует RoHS, Сервис, Симисторы, Полупроводник

 mmbtsc945r mmbtsc945o mmbtsc945y mmbtsc945p mmbtsc945l.pdf База данных, Инновации, ИМС, Транзисторы

 

 
Back to Top

 


 
.