SKM300GA123D - аналоги и описание IGBT

 

SKM300GA123D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM300GA123D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2000 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM300GA123D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM300GA123D даташит

 ..1. Size:659K  semikron
 skm300ga123d.pdf pdf_icon

SKM300GA123D

 4.1. Size:418K  semikron
 skm300ga12v.pdf pdf_icon

SKM300GA123D

SKM300GA12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 420 A Tj = 175 C Tc =80 C 319 A ICnom 300 A ICRM ICRM = 3xICnom 900 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 353 A Tj = 175 C SKM300GA12V Tc =80 C 264 A IFnom

 4.2. Size:625K  semikron
 skm300ga12e4.pdf pdf_icon

SKM300GA123D

SKM300GA12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 422 A Tj = 175 C Tc =80 C 324 A ICnom 300 A ICRM ICRM = 3xICnom 900 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 353 A Tj = 175 C SKM300GA12E4 Tc =80

 4.3. Size:624K  semikron
 skm300ga12t4.pdf pdf_icon

SKM300GA123D

SKM300GA12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 422 A Tj = 175 C Tc =80 C 324 A ICnom 300 A ICRM ICRM = 3xICnom 900 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 353 A Tj = 175 C SKM300GA12T4 T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM200GB063D , SKM200GB123D , SKM200GB124D , SKM200GB173D , SKM200GB174D , SKM200GBD123D1S , FGH50N6S2D , SKM22GD123D , CRG60T60AN3H , SKM300GA173D , SKM300GAL063D , SKM300GAL123D , SKM300GAR063D , SKM300GAR123D , SKM300GAX123D , SKM300GAY123D , SKM300GB063D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.