SKM300GB124D - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: SKM300GB124D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1660 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 380 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для SKM300GB124D
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
SKM300GB124D даташит
skm300gb12v.pdf
SKM300GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 420 A Tj = 175 C Tc =80 C 319 A ICnom 300 A ICRM ICRM = 3xICnom 900 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 353 A Tj = 175 C SKM300GB12V Tc =80 C 264 A IFnom
Другие IGBT... SKM300GAL063D , SKM300GAL123D , SKM300GAR063D , SKM300GAR123D , SKM300GAX123D , SKM300GAY123D , SKM300GB063D , SKM300GB123D , IKW75N60T , SKM300GB174D , SKM400GA062D , SKM400GA123D , SKM400GA124D , SKM400GA173D , SKM400GA174D , SKM400GAL062D , SKM400GAL124D .
History: SKM300GB174D | MG300N1US1 | SKM400GA124D | SKM200GB123D | FGA6540WDF | SMBH1G75US60 | DGTD120T40S1PT
History: SKM300GB174D | MG300N1US1 | SKM400GA124D | SKM200GB123D | FGA6540WDF | SMBH1G75US60 | DGTD120T40S1PT
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor







