Справочник IGBT. SKM300GB174D

 

SKM300GB174D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM300GB174D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 320 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM300GB174D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM300GB174D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:720K  semikron
 skm300gb174d.pdf pdf_icon

SKM300GB174D

 5.1. Size:653K  semikron
 skm300gb123d.pdf pdf_icon

SKM300GB174D

 5.2. Size:606K  semikron
 skm300gb126d.pdf pdf_icon

SKM300GB174D

 5.3. Size:732K  semikron
 skm300gb124d.pdf pdf_icon

SKM300GB174D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM300GAL123D , SKM300GAR063D , SKM300GAR123D , SKM300GAX123D , SKM300GAY123D , SKM300GB063D , SKM300GB123D , SKM300GB124D , FGPF4633 , SKM400GA062D , SKM400GA123D , SKM400GA124D , SKM400GA173D , SKM400GA174D , SKM400GAL062D , SKM400GAL124D , SKM400GAR062D .

History: AOD6B65MQ1E | NGTB40N60FLWG | IXGA12N120A3 | IXSH35N140A | SRE30N065FSSDG | F3L75R07W2E3_B11 | IXGT40N60B2

 

 
Back to Top

 


 
.