SKM500GA123D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SKM500GA123D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3000 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 170 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4000 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM500GA123D

 

 

SKM500GA123D Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SKM400GAR062D , SKM400GAR124D , SKM400GB062D , SKM400GB123D , SKM400GB124D , SKM40GD123D , SKM40GD124D , SKM40GDL123D , SGH80N60UFD , SKM500GA123S , SKM500GA124D , SKM500GA174D , SKM50GAL123D , SKM50GB063D , SKM50GB123D , SKM50GD063DL , SKM50GDL063DL .