SKM500GA174D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SKM500GA174D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3000 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3800 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM500GA174D

 

 

SKM500GA174D Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SKM400GB123D , SKM400GB124D , SKM40GD123D , SKM40GD124D , SKM40GDL123D , SKM500GA123D , SKM500GA123S , SKM500GA124D , SGT60N60FD1P7 , SKM50GAL123D , SKM50GB063D , SKM50GB123D , SKM50GD063DL , SKM50GDL063DL , SKM50GH063DL , SKM75GAL063D , SKM75GAL123D .